摘要:随着现代半导体制造工艺的发展，CMOS的沟道长度和器件间距不断减小，随之出现了严重的工艺变化和信号耦合效应。在本文中，我们将解释耦合效应是如何影响灵敏放大器的功能，然后我们将介绍一种耦合抑制放大器。在我们的设计中，我们调整了时间控制。耦合信号被分类并被不同的启动电流抑制。新的架构在差分输入下可以实现显著的改善。面积和速度成本可以忽略。通过我们的工作，我们推荐我们的灵敏放大器的设计，也请注意其他电路的耦合效应。

关键词：灵敏放大器；SRAM

目录

摘要

Abstract

第一章绪论-3

1.1 研究背景及意义-3

1.2研究内容-6

1.3 本章小结-7

第二章  传统灵敏放大器及耦合效应-8

2.1 传统灵敏放大器介绍-8

2.2灵敏放大器的耦合分析-9

2.3本章小结-11

第三章 灵敏放大器中的耦合抑制-12

3.1 耦合抑制灵敏放大器-12

3.2新、旧设计的对比-12

3.3 本章小结-14

第四章 电路的搭建与仿真-15

4.1 反相器参数设置-15

4.2传统灵敏放大器仿真-16

4.3耦合抑制灵敏放大器仿真-20

4.4 本章小结-24

第五章 总结-25

参考文献-26

致谢-27