摘要：由于ITO 薄膜同时具有低电阻以及高透光率的特性，决定了其在LED芯片的制造中作为电流扩展层成为了不可或缺的组成部分。本论文通过改变ITO沉积时的氧气流量来改善LED的亮度与电压。此次实验时所使用的ITO沉积工艺为Sputter(溅镀)沉积。本实验在DC power为260W的条件下实验，在氧气流量为0.4sccm时，最终体现ITO薄膜的性能在氩气流量在30 sccm到60 sccm的区间中，随着氩气流量的增加，ITO薄膜的电阻增加，穿透率降低。在氩气流量为40 sccm时，氧气流量为0.3 sccm到0.6 sccm时，ITO薄膜的电阻随着氧气流量的增加而降低，在改变制造LED芯片的ITO薄膜沉积氧气流量的实验中，最终结果为沉积时氧气溶度为0sccm时工作电压最低,浓度为0.4sccm时电压最高,工作亮度为氧气浓度为0.4sccm时亮度最高,氧气浓度为0sccm时亮度最低。

关键词:ITO沉积；LED性能；氧气浓度；光电性能

目录

摘要

Abstract

1 引言-1

1.1 LED介绍-1

1.1.1 LED简介-1

1.1.2 ITO薄膜在LED芯片中的应用-2

1.1.3 LED生产流程-3

1.2 ITO介绍及应用-4

1.2.1 ITO薄膜简介-4

1.2.2 ITO薄膜在各行业的应用-5

1.3 ITO沉积原理-5

1.3.1 Sputter沉积原理-5

1.3.2真空蒸发沉积原理-7

2 实验内容-9

2.1 ITO沉积设备-9

2.2 ITO沉积工艺流程-10

2.3 测量设备-11

2.3.1 电阻测量设备-11

2.3.2 穿透率测量设备-12

2.3.3 ITO薄膜厚度测量-12

3 实验结果与讨论-14

3.1 更改氩气流量对ITO薄膜性能的影响-14

3.1.1 ITO薄膜厚度的影响-14

3.1.2 ITO薄膜电阻的影响-15

3.1.3 ITO穿透率的影响-15

3.2 更改氧气流量对ITO薄膜性能的影响-16

3.2.1 ITO薄膜厚度的影响-16

3.2.2 ITO薄膜电阻的影响-17

3.2.3 ITO薄膜穿透率的影响-17

3.3 更改ITO沉积时氧气流量对LED芯片的性能的影响-18

3.3.1 ITO沉积氧气流量与LED工作电压的关系-20

3.3.2 ITO沉积氧气流量与LED工作亮度的关系-20

结    论-22

参 考 文 献-23

致    谢-24