摘要：在这个信息迅速发展的新时代，MOS功率器件的使用率越来越高，由于MOS功率管易于驱动，还有较低的损耗，因此双极型二极管的时代慢慢被MOS功率管替代，不论是从军事上还是从实际生活中都随处可见MOS功率管的身影。

此论文主要论述MOS功率管在半导体器件中的研究意义，不仅要熟知基本理论而且还要对其一些基本特性进行研究。与此同时，由于工艺的影响，有时功率MOS管的源极和漏极之间会产生寄生二极管，它起到了保护MOS功率管的作用，并且通过Cadence仿真软件熟悉功率MOS管的版图设计规则以及封装形式。

关键词：基本特性；Cadence；设计规则；封装

目 录

摘 要

ABSTRACT

第一章 绪论-1

第二章 MOS功率管的基础知识-2

2.1 基本结构-2

2.2 工作原理-2

2.3 分类-3

第三章 MOS功率管器件的基本特性-4

3.1 转移特性-4

3.2 输出特性-4

3.3 开关特性-5

3.4 击穿特性-6

3.5寄生二极管-8

第四章 MOS功率管版图设计与验证-9

4.1 版图设计-9

4.2 版图验证-14

4.3 版图优化-20

第五章 结束语-26

参考文献-27

致  谢-28