摘要:VDMOS不但拥有非常快的开关时间和接近无限大的输入阻抗，而且它的制作工艺简单、性能可靠又稳定，因而在电力电子领域内发挥了重要的作用，并且成为现如今应用范围比较广泛的功率半导体器件之一。本文首先介绍了国内外VDMOS的发展现状和趋势，确定了课题的研究内容，然后分析了VDMOS器件的结构和原理，研究了VDMOS的元胞，阐述了VDMOS的几个重要的电学参数。最后，利用Tsuprem4工艺仿真软件和Medici电学特性仿真软件仿真了器件的元胞结构、击穿电压和转移特性，得到的仿真结果与理论分析的一致。

关键词：击穿电压；电学特性；Medici软件；结构原理

目录

摘要

ABSTRACT

第一章  绪论-1

1.1课题的研究背景-1

1.2国内外发展现状与趋势-2

1.3研究目的及意义-3

1.4课题的研究内容-3

第二章  VDMOS的工作原理和结构-4

2.1VDMOS的结构-4

2.2VDMOS工作原理-4

2.3VDMOS的特点-5

第三章  VDMOS元胞结构和电学特性参数-7

3.1元胞结构-7

3.2VDMOS的工艺流程-7

3.3电学参数设计-8

3.3.1阈值电压-8

3.3.2导通电阻-9

3.3.3漏源击穿电压-10

第三章  电学特性仿真-12

4.1仿真软件的介绍-12

4.2器件仿真步骤的介绍-12

4.3VDMOS电学特性仿真结果和分析-13

结束语-15

致  谢-16

参考文献-17

附录A-18