摘要:垂直双扩散金属-氧化物-场效应晶体管简称VDMOS，它比双极型器件有更多的优良特性:输入阻抗高、驱动电流低、开关速度快、没有二次击穿等，因此被广泛应用于消费电子、电脑、工业控制、电力设备、汽车电子和网络通讯等领域。

本文首先介绍了VDMOS的研究背景，然后分析了VDMOS的工作原理和电学参数，继而研究了VDMOS的元胞结构，最后利用TSUPREM4工艺仿真软件和MEDICI电学特性仿真软件设计了150V的VDMOS，并对器件的元胞结构和击穿电压进行了仿真，得到的仿真结果与理论分析一致。

关键词：元胞结构仿真；电学特性仿真；参数设计

目录

摘要

ABSTRACT

第一章  绪论-1

1.1课题的研究背景-1

1.2国内外的发展情况-2

1.3本课题的主要内容-2

第二章  VDMOS的工作原理和电学参数-3

2.1VDMOS的工作原理-3

2.2VDMOS的电学特性-3

2.3VDMOS的击穿电压和导通电阻-5

第三章  VDMOS的元胞设计-9

3.1VDMOS的元胞图形设计-9

3.2VDMOS的元胞结构设计-9

第四章  VDMOS的工艺仿真和电学仿真-13

4.1仿真软件的介绍-13

4.2VDMOS的工艺仿真-13

4.3VDMOS的电学特性仿真-17

结束语-18

致谢-19

参考文献-20

附录A  -21

附录B  -24