摘要：发光二极管（LED，Light Emitting Diode）具有许多优秀的性能，在照明，显示等领域有十分广阔的市场。随着技术的发展，以及工艺的成熟，对于目前的GaN基LED而言，内量子效率达到80%的LED已经可以生产，我们很难通过提高LED的内量子效率的方法来提高LED的亮度。因此，通过提升LED外量子效率是目前半导体照明的研究重点。在LED倒装芯片（Flip Chip）内部，与P-GaN，芯片侧壁接触的绝缘层材料会吸光，减少了光的出射。

本课题的研究以解决LED芯片内部的绝缘层吸光问题，采用在倒装芯片技术的基础上，优化绝缘层工艺，减少芯片内部的吸光。根据本文的结论，利用这种方法确实提升了芯片的发光强度，为之后LED芯片亮度的提升提供了可行的方向。

关键词：倒装芯片，绝缘层工艺，外量子效率

目录

摘要

Abstract

1绪论-1

1.1课题背景及意义-1

1.2发展与研究情况-1

1.3本文研究的主要内容-2

2 LED芯片简介-4

2.1 LED发光原理-4

2.2 LED芯片结构简介-4

2.3 LED发光效率简述-5

2.4 提升LED发光效率的方法-6

2.5 绝缘层工艺的设计与优化-8

2.6 本章小结-9

3 实验内容-11

3.1实验材料及设备-11

3.2实验步骤-17

3.3 LED主要参数介绍-18

3.4 本章小结-18

4 实验结果及分析-19

4.1实验结果-19

4.2 LED芯片各项性能参数分析-21

4.2.1 LED芯片亮度表征-21

4.2.2 LED芯片电性表征-22

4.2.3 LED芯片可靠性表征-24

4.3 本章小结-25

结    论-27

参 考 文 献-28

致    谢-29